德润介绍逆变器电路设计过程详解

逆变器电路设计过程详解

来源：百度文库 作者：秩名2012年07月11日 10:27

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[导读] 笔者曾用过300W逆变器，利用12V/60AH蓄电池向上述家用电器供电，一次充满电后，可使用近5小时。标称功率300W的 逆变鹤壁变压器 ，用于家庭电风扇、电视机，以及日常照明等是不成问题的。不

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　　笔者曾用过300W逆变器，利用12V/60AH蓄电池向上述家用电器供电，一次充满电后，可使用近5小时。标称功率300W的逆变鹤壁变压器，用于家庭电风扇、电视机，以及日常照明等是不成问题的。不过，即使蓄电池电压充足，启动180立升的电冰箱仍有困难，因启动瞬间输出电压下降为不足180V而失败。电冰箱压缩机标称功率多为100W左右，实际启动瞬间电流可达2A以上，若欲使启动瞬间降压不十分明显，必须将输出功率提高至600VA。如在增大输出功率的同时，采用PWM系统，可使启动瞬间降压幅度明显减小。无论电风扇还是电冰箱，应用逆变鹤壁变压器供电时，均应在逆变器输出端增设图1中的LC滤波器，以改善波形，避免脉冲上升沿尖峰击穿鹤壁变压器绕组。

　　采用双极型管的逆变器，基极驱动电流基本上为电流的1/β，因此大电流电路必须采用多级放大，不仅使电路复杂变压器厂家化，可靠性也变差?而且随着输出功率的增大，管驱动电流需大于集电极电流的1/β，致使普通驱动IC无法直接驱动。虽说采用多级放大可以达到目的，但是波形失真却明显增大，从而导致管的导通/截止损耗也增大。目前解决逆变鹤壁变压器及UPS的驱动方案，大多采用MOS FET管作器件。

　　1、MOSFET管的应用

　　近年来，金属氧化物绝缘栅场效应管的制造工艺飞速发展，使之漏源极耐压(VDS)达kV以上，漏源极电流(IDS)达50A已不足为奇，因而被广泛用于功率放大和电路中。

　　除此而外，还有双极性三极管与MOS FET管的混合产品，即所谓IGBT绝缘栅双极晶体管。顾名思义，它属MOS FET管作为前级、双极性三极管作为输出的组合器件。因此，IGBT既有绝缘栅场效应管的电压驱动特性，又有双极性三极管饱合压降小和耐压高的输出特性，其关断时间达到0.4μs以下，VCEO达到1.8kV，ICM达到100A的水平，目前常用于鹤壁变压器变频调速、逆变器和鹤壁变压器等电路中。

　　一般中功率鹤壁变压器逆变器常用MOS FET管的并联推挽电路。MOS FET管漏-源极间导通电阻，具有电阻的均流特性，并联应用时不必外加均流电阻，漏源极直接并联应用即可。而栅源极并联应用，则每只MOS FET管必须采用单独的栅极隔离电阻，避免各管栅极电容并联形成总电容增大，导致充电电流增大，使驱动电压的建立过程被延缓，管导通损耗增大。

　　2、MOSFET的驱动

　　近年来，随着MOS FET生产工艺的改进，各种鹤壁变压器、变换器都广泛采用MOS FET管作为电路，但是，专用于驱动MOS FET管的集成电路国内极少见。驱动MOS FET管的要求是，低输出阻抗，内设灌电流驱动电路。所以，普通用于双极型管的驱动IC不能直接用于驱动场效应管。

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